Descripción:

Transistor MOSFET de Potencia.

Características:

• Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
• Carga de compuerta (Qg): 61 nC
• Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.2 Ohm
• Empaquetado / Estuche: TO220AB

Especificaciones:

• Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
• Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
• Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
• Corriente continua de drenaje (Id): 19 A
• Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

Las aplicaciones  más comunes son:

• Resistencia controlada por tensión.
• Circuitos de conmutación de potencia.
• Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

Hoja de Datos