Descripción:
TRANSISTOR BIPOLAR, PNP
Características:
- Transistor PNP de media potencia.
- Alta velocidad de suicheo
- Complementario: TIP41C
- Encapsulado: TO-220
Especificaciones:
- IC max: 6A
- IC pico max: 10 A (tp < 5ms)
- IB max: 3A
- PTOT: 65W
- VCEO: 100V, VCBO: 100V, VEBO: 5V
- hFE: 15 a 75 (@ IC=3A, VCE=4V)
Aplicaciones:
- Conmutación y amplificación lineal de potencia
- Amplificadores de audio
- Circuitos de propósito general
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