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AT28C64B

BT2864C

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Memoria EEPROM Electricamente borrable de alto desempeño con memoria programable de solo lectura.

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Descripción:

Es un tipo de memoria ROM que puede ser programada, borrada y reprogramada eléctricamente.

Las celdas de memoria de una EEPROM están constituidas por un transistor MOS, que tiene una compuerta flotante (estructura SAMOS), su estado normal está cortado y la salida proporciona un 1 lógico.

Características:

  • Paquete / Cubierta: PDIP-28
  • Tiempo de acceso de activación de salida: 70 ns
  • Tipo de interfaz: Paralelo
  • Entradas  y Salidas compatibles con CMOS y TTL
  • Proteccion de Software y Hardware

Especificaciones:

  • Tiempo de Lectura de 159 ns
  • Bajo Consumo de energia
  • Alimentacion de 5V
  • Tiempo de acceso: 150 ns
  • Temperatura de trabajo mínima: - 40 C
  • Voltaje de alimentación - Máx.: 5.5 V
  • Voltaje de alimentación - Mín.: 4.5 V

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Memoria EEPROM Electricamente borrable de alto desempeño con memoria programable de solo lectura.